Technologie RTP (Rapid Thermal Processing) : éliminer les goulets d’étranglement dans les processus de semi-conducteurs
Dans la fabrication de semi-conducteurs,Traitement thermique rapide (RTP)est devenu un outil essentiel pour réaliser des percées dans les performances des appareils et optimiser les processus. Par rapport aux procédés traditionnels de four à haute température, RTP utilise unMode de fonctionnement à une seule plaquetteet un contrôle thermique précis, résolvant efficacement les défis techniques du contrôle du budget thermique, de la formation de jonctions ultra-peu profondes et de la cohérence du processus dans les nœuds avancés.
À mesure que les procédés de fabrication de semi-conducteurs progressent vers5 nm et moins, la taille des fonctionnalités de l’appareil continue de diminuer et la demande deTraitement thermique de haute précisiondevient plus critique.Smartnoblepropose des solutions technologiques RTP conçues pour répondre aux besoins de la production moderne de semi-conducteurs, aidant ainsi les clients à maintenir leur compétitivité sur un marché en évolution rapide.
Avantages et innovations de la technologie RTP
- Taux de changement de température ultra-rapides
RTPUtiliseLampes halogènes haute puissance ou chauffage laser, atteignant des vitesses de chauffage et de refroidissement de plus de 250 °C/s, dépassant de loin les processus de four traditionnels, qui fonctionnent à 5-10 °C/s. Le chauffage et le refroidissement rapides assurent une grande précision du processus tout en raccourcissant considérablement les cycles de production. - Contrôle thermique précis
Équipé d’unCapteurs de température infrarougeset un système de rétroaction en boucle fermée,Technologie RTPAtteintuniformité de température de ±1°C (3σ)sur l’ensemble de la plaquette et prend en charge le contrôle dynamique de la température sur une large plage de 400 à 1400 °C, améliorant considérablement la cohérence du processus. - Conception à faible contrainte thermique
Utilisation d’unStructure de support en quartz à 3 pointsdans un environnement sous vide ou basse pression,RTPMinimise la résistance de contact thermique, éliminant les interférences de dissipation thermique par convection et réduisant le stress thermique sur les plaquettes, garantissant ainsi des dispositifs à semi-conducteurs de haute qualité. - Amélioration du contrôle du budget thermique
RTPpermet d’atteindre un budget thermique inférieur à 10 °C, supprimant efficacement la diffusion des impuretés grâce àRecuit pulsé au niveau de la milliseconde, et est particulièrement bien adapté aux processus d’activation de jonctions ultra-peu profondes et de formation de siliciure métallique.
Applications typiques de la technologie RTP
- Activation des impuretés de jonction ultra-peu profonde
Pour l’implantation ionique à très basse énergie (<1keV),RTPréalise unTaux d’activation des impuretés de >95 %avec un recuisson de l’ordre de la milliseconde, tout en limitant laDiffusion améliorée transitoire (TED)à moins de 2 nm, atténuant les effets de canal court. - Formation de siliciure métallique
DansFormation de siliciure Ni/Co, RTPutilise un procédé en deux étapes (nucléation à 500 °C + alliage à 850 °C) pour formercouches de siliciure à faible résistivité (<10μΩ·cm)et unRéduction de 60 % de la rugosité de l’interfacepar rapport aux procédés traditionnels des fours. - Traitement thermique de la couche diélectrique
PourProcédés de refusion du verre phosphosilicate (PSG), RTPutilise une rampe de température par étapes (400 °C → 600 °C → 900 °C), augmentant la capacité de remplissage des espaces en3 foiset contrôleEffets de pénétration du boreà moins de 0,5 nm/s. - Ingénierie avancée des portes
DansPorte métallique à k élevé (HKMG)ProcessusRTPest utilisé pourActiver l’interface Azoteet pourRecuit rapide post-dépôt de porte métallique, assurant uneépaisseur équivalente de l’oxyde (EOT)et la minimisation du courant de fuite de la grille.
Les solutions technologiques RTP de Smartnoble
En tant que fournisseur leader d’équipements de semi-conducteurs,Smartnobles’engage à fournirsolutions technologiques RTP avancées. NotreÉquipement RTPprend en charge un large éventail d’applications, notammentActivation de jonction ultra-peu profonde, formation de siliciure métalliqueetTraitement thermique de la couche diélectrique, aidant les clients à améliorer l’efficacité et la qualité de la production dans les processus avancés de semi-conducteurs.L’équipement RTP de SmartnobleCaractéristiques d’un débit élevé, d’une fiabilité et d’une faible consommation d’énergie, largement utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs5 nm et moinsnœuds de processus. Notre équipe s’engage à innover continuellement, en relevant les défis deFabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération.
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